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发布日期:2025-12-20 06:18    点击次数:133

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IT之家 11 月 16 日音书,硅的表面比容量为 4200mAh / g,是现在参议最多、有望替代买卖石墨的负极材料之一,然则硅在充放电进程中会产生广阔的体积推广与松开,从而导致电极结构阻碍。

国度常识产权局昨天公布了一项华为硅基负极材料的专利,名为《硅基负极材料过甚制备顺序、电板和终局》。

在这一专利中,参议者遴荐了一种硅基负极材料,兼具较高容量和较低推广性能,约略在一定进程上处分现存硅基材料因推广效应过大导致电板轮回性能低的问题,提高负极的轮回褂讪性。

专利清晰,遴荐该发明奉行硅基负极材料制备的电板相对现存传统硅氧 / 碳复合负极材料制备的电板,其轮回性能得回显著提高,充满电情景时电极片的推广率显著裁减,轮回 600 次后电芯的推广率显著裁减。

这是由于其硅基负极材料通过使高硅氧比硅基颗粒折柳在低硅氧比硅基基体中,竣事了不同硅氧浓度限域折柳,所得硅基负极材料兼顾高容量和高轮回褂讪性。

其中,高硅氧比硅基颗粒约略保证负极材料具有较高的嵌锂容量,而低硅氧比硅基基体在嵌锂进程中不会产生大的体积变化,且低硅氧比硅基基体折柳在高硅氧比硅基颗粒周围可有用缓解高硅氧比硅基颗粒变成的体积推广,从而阻拦硅基负极材料的落空和粉化,提高硅基负极材料的轮回寿命。

此外,高硅氧比硅基颗粒名义导电层的开拓不错提高高硅氧比硅基颗粒的电导率,提高含硅基体和硅基颗粒两种不同硅氧比结构间的界面电导率;同期不错在高硅氧比硅基颗粒名义形成死心层,有用裁减脱嵌锂变成的体积推广。

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